- WIPO 기술분류 화학 > 화학공학
- 표준산업분류 전자부품 제조업
- 국가과학기술표준분류 화공 > 화학공정
- 지식재산권 상태 등록
- 출원일/등록일 2015-02-26 / 2017-04-17
- 거래유형 양도/실시권설정 모두가능
- 기술료 조건 협의후 결정
전해 커패시터용 알루미늄 박의 제조 방법, 고유전 상수를 갖는 알루미늄 박, 이를 포함하는 전해 커패시터 및 알루미늄 박의 제조 장치
- 경북대학교 산학협력단
- 요약
- 전해 커패시터용 알루미늄 박의 제조 방법, 고유전 상수를 갖는 알루미늄 박 및 이의 제조 장치에서, 제조 방법은 진공 상태에서, 다수의 에칭-포어들을 포함하는 다공성 알루미늄 박을 챔버에 수용된 금속 산화물 졸에 함침시키는 함침 단계, 챔버 내에 잔류하는 금속 산화물 졸을 배출시키는 회수 단계, 금속 산화물 졸이 코팅된 알루미늄 박을 비진공 상태에서 건조시키는 건조 단계, 건조된 코팅막을 소결시키는 소결 단계 및 소결된 코팅막이 형성된 알루미늄 박을 양극 산화시켜, 에칭-포어들 내부의 내벽면에 적층된 산화알루미늄층 및 금속 산화층을 포함하는 복합 산화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
- 대표청구항
- 전해 커패시터용 전극 구조체의 제조방법에 있어서, 비진공 상태의 챔버 내에 1 내지 2 ㎛의 직경 및 10 내지 50 ㎛의 깊이를 갖는 다수의 에칭-포어들이 표면에 형성된 알루미늄 박을 배치시키는 단계; 상기 알루미늄 박이 배치된 상기 챔버의 내부 압력을 759 토르(Torr) 내지 1 밀리토르(mTorr)의 진공 상태로 낮추는 단계; 진공 상태의 상기 챔버 내부로 금속 산화물 졸을 제공하여 상기 알루미늄 박을 상기 금속 산화물 졸에 함침시키는 함침 단계; 상기 알루미늄 박이 상기 금속 산화물 졸에 함침된 상태에서, 상기 챔버 내부로 비활성 기체를 공급하여 상기 챔버 내부의 압력을 1기압 내지 5기압으로 상승시키는 가압 단계; 상기 챔버로부터 상기 금속 산화물 졸을 배출시켜 상기 에칭-포어들의 내부 벽면에 상기 금속 산화물 졸의 코팅막을 형성하는 배출 단계; 상기 금속 산화물 졸의 코팅막을 건조시키는 건조 단계; 상기 건조된 금속 산화물 졸의 코팅막을 소결시키는 소결 단계; 및 상기 알루미늄 박을 양극산화시켜, 상기 에칭-포어들 내부의 벽면에 적층된 산화알루미늄층 및 금속 산화층을 포함하는 복합 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복합 산화물층이 형성된 상기 전극 구조체의 표면에는 상기 에칭-포어들에 각각 대응하는 포어들이 형성된 것을 특징으로 하는, 전해 커패시터용 전극 구조체의 제조 방법.
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